＊トランジスタ

ゲルマニウムやシリコンなどからつくったP型(がた）およびN型(がた）の半導体(はんどうたい）を，P-N-PまたはN-P-Nとして3つの電極(でんきょく）（コレクタ・ベース・エミッタとよばれる）をつけたもの。半導体(はんどうたい）中の電子やホール（正孔(せいこう））の働(はたら）きで，増幅(ぞうふく）や発振(はっしん）などの働(はたら）きをさせることができ，ラジオやテレビなどの電気機器(きき）に多く用いられている。◇1948年，アメリカ合衆国(がっしゅうこく）のJ．バーディンとW．ブラッテンにより，また電界効果(こうか）トランジスタは1952年に同国のW．ショックレーにより発明された。